APA (7th ed.) Citation

Kukurudziak, M. S. (2022). Технологічні причини пробою p-n-переходу кремнієвих p-i-n фотодіодів. Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, 27(3), . https://doi.org/10.20535/2523-4455.mea.268299

Chicago Style (17th ed.) Citation

Kukurudziak, Mykola Stepanovych. "Технологічні причини пробою P-n-переходу кремнієвих P-i-n фотодіодів." Mìkrosistemi, Elektronìka Ta Akustika 27, no. 3 (2022). https://doi.org/10.20535/2523-4455.mea.268299.

MLA (9th ed.) Citation

Kukurudziak, Mykola Stepanovych. "Технологічні причини пробою P-n-переходу кремнієвих P-i-n фотодіодів." Mìkrosistemi, Elektronìka Ta Akustika, vol. 27, no. 3, 2022, https://doi.org/10.20535/2523-4455.mea.268299.