Loading…
Academic Journal
Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors
V. A. Solodukha, U. A. Pilipenko, V. A. Gorushko
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 5, Pp 99-103 (2019)
Saved in:
| Title | Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors |
|---|---|
| Authors | V. A. Solodukha, U. A. Pilipenko, V. A. Gorushko |
| Publication Year |
2019
|
| Source |
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 5, Pp 99-103 (2019)
|
| Description |
Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка позволяет за счет улучшения зарядовых и структурных свойств диэлектрика уменьшить токи утечки затвора и повысить надежность приборов.
|
| Document Type |
article
|
| Language |
Russian
|
| Publisher Information |
Educational institution «Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics», 2019.
|
| Subject Terms | |
